新型优质回答2：各有各的好。

主要同样该材料的MOR性能在碱性电解液中也要比商业Pt/C催化剂性能高出四倍。然而，商业传统沉积方法制备的复合材料结构的机械稳定性较差，限制了氧化石墨烯薄膜的实际应用。

[5]图5.一维纳米棒的位点选择性磁化6.ACSEnergyLetters：模式控制固体电解质中枝晶的生长固态电解质(SSEs)被广泛认为是抑制锂金属负极枝晶生长的催化剂，模式可用于高能、高安全性的下一代电池。利用这一策略，分析作者将具有不同晶格、化学成分和磁性的材料(Fe3O4)和一系列在特定位置吸收紫外线和可见光谱的半导体纳米棒结合在一起。新型所得到的Pt-Co纳米膜在酸性电解液中展现出了出色ORR质量活性。

主要合理的组分和形貌设计是提高催化性能的关键。[3]图3.光子探针示意图4.Chem.Rev.：商业用于先进电化学储能装置的碳基纤维先进的电化学储能器件(EESDs)可以有效地储存电能，商业同时又具有微型/柔性/可穿戴/承重的特点，因此，从柔性/可穿戴/便携式电子产品到轻型电动汽车/航空航天设备，各种应用都需要使用它。

美国哥伦比亚大学MichalLipson和冷泉港实验室AdamKepecs（共同通讯）等人在NatureBiomedicalEngineering上发表了文章，模式作者报道了一种可植入的硅基探针的设计和制备，模式它可以转换和导入多个光束来刺激皮层的神经元，同时记录产生的脉冲模式。

[8]图8.一种典型的溶剂辅助配体交换过程参考文献：分析[1]Shouping Chenetal., High-PerformancePt−CoNanoframesforFuel-Cell Electrocatalysis.NanoLett.,2020.,DOI:10.1021/acs.nanolett.9b05251.[2]Tung HanYang,etal., QuantitativeAnalysisoftheMultipleRolesPlayedbyHalideIonsinControllingtheGrowthPatternsofPalladiumNanocrystals,ChemNanoMat,2020,DOI:10.1002/cnma.202000049.[3]Mohanty,A.,Li,Q.,Tadayon,M.A.etal.,Reconfigurablenanophotonicsiliconprobesforsub-milliseconddeep-brainopticalstimulation.NatBiomedEng.,2020，分析DOI:10.1038/s41551-020-0516-y.[4]Shaohua Chenetal., Carbon-BasedFibersforAdvancedElectrochemicalEnergyStorage Devices.Chem.Rev., 2020,DOI:10.1021/acs.chemrev.9b00466.[5]T.-T. Zhuang,etal.,Regioselectivemagnetizationinsemiconductingnanorods.Nat.Nanotechnol.,2020,DOI:10.1038/s41565-019-0606-8.[6]He Liuetal,ControllingDendriteGrowthinSolid-StateElectrolytes,ACSEnergyLetters,2020,DOI: 10.1021/acsenergylett.9b02660.[7]Shuangmei Xueetal., NanostructuredGrapheneOxideComposite MembraneswithUltra-permeabilityandMechanicalRobustness.NanoLett., 2020.,DOI:10.1021/acs.nanolett.9b03780.[8]DongboYu,etal., Asolvent-assistedligandexchangeapproachenablesmetal-organicframeworkswithdiverseandcomplexarchitectures.NatCommun.,2020, DOI:10.1038/s41467-020-14671-9.本文由Nanooptic供稿欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。长期从事低维材料光电器件相关研究，新型以通讯作者发表中科院一区论文超过100篇，包括PhysicsReports2篇、PNAS1篇、ScienceAdvance2篇、NatureCommunications6篇等。

中国青年科技工作者理事，主要河北青年五四奖章获得者，河北青联常委。商业图9. GaSe基忆阻器的基本特性(a,b)Ag/GaSe/Ag器件的I-V曲线及50次数据循环曲线。

模式(b)Ga空位导电细丝的生长过程。(k,l)Vg=40V下，分析忆阻器的原理图及局部I-V曲线。